ASPS 2026 참관기: 유리기판·HBM·광인터커넥트가 여는 차세대 반도체 패키징

핵심 요약

• 행사 개요 : 2026년 8월 26일~28일 수원컨벤션센터에서 열린 차세대 반도체 패키징 산업전(ASPS)은 AI/HPC용 반도체 패키징 기술의 최전선을 확인할 수 있는 자리였습니다.
• 핵심 화두 : 칩 간 데이터 전송 병목을 해소하기 위한 유리기판(Glass Interposer), HBM 발열 관리, 광인터커넥트(CPO) 기술이 주요 관전 포인트였습니다.
• 공통된 흐름 : 참가 기업들은 기술적 완성도를 넘어 양산성과 비용 효율성을 확보하는 방향으로 나아가고 있었습니다.

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주요 내용

이번 전시회를 관통한 키워드는 ‘연결(Interconnect)’이었습니다. 칩과 칩, 시스템과 시스템 사이의 데이터 이동을 얼마나 빠르고 효율적으로 처리하느냐가 AI 반도체 경쟁력의 핵심이 되고 있습니다.
메모리 반도체 시장을 이끄는 삼성전자와 SK하이닉스가 서로 다른 핵심 기술을 내세웠습니다. 삼성전자는 차세대 패키징과 광인터커넥트(Co-Packaged Optics) 기술, SK하이닉스는 HBM의 발열 관리 기술에 집중하는 모습입니다.

본 참관기에서는 주요 기업의 핵심 전시 내용을 중심으로 ASPS 2026이 보여준 차세대 패키징 산업의 방향성을 정리합니다.

1. 왜 이번 전시회, ASPS 2026이 주목받을까요?

AI와 HPC 산업이 커지면서 칩 간 데이터 이동량이 폭증했고, 기존 전기 신호 방식은 대역폭·전력·거리 면에서 한계에 부딪혔습니다. ASPS 2026은 이 병목을 해결하기 위한 유리기판, HBM 열관리, 광인터커넥트 등 핵심 기술이 총집결한 자리였습니다.

구분	삼성전자	SK하이닉스
핵심 전시 분야	2.3D, 3D 패키징 / CPO1)	HBM / 열관리
대표 기술	2.3D Cube-E, 3D Cube-T/H	iHBM (ICE2))
핵심 소재·구조	Si-Bridge, Photonic IC	Core/Base Die, TSV
공정 효율	칩 간 연결거리 단축	방열 경로 최적화
투자·비용 개선	시스템 설계효율 향상	열저항 최대 30% 이상 감소
지향점	CPO(Co-Packaged Optics)	Full Stack AI Memory

2. ASPS 2026, 3가지 핵심 관전 포인트

① 칩렛(Chiplet) 및 하이브리드 본딩 등 초미세 패키징 기술
: 반도체 성능을 극대화하기 위해 여러 개의 칩을 하나로 연결하는 칩렛 구조를 확인할 수 있으며,
: 삼성전자와 SK하이닉스를 비롯한 주요 기업들이 패키징 솔루션을 어떻게 구현하고 있는지 실물을 볼 수 있습니다.

② 차세대 게임 체인저, “반도체 글라스 기판＂
: 미세 회로 구현, 저발열, 대면적화에 유리한 글라스 기판 관련 가공 소재 및 장비 기술을 확인할 수 있습니다.
: 국내외 소부장 기업들이 선보이는 유리 기판 가공 장비 및 TGV 기술의 상용화 단계와 생태계 구축 현황을 확인 가능합니다.

③ 고성능 AI 반도체를 위한 열 관리(Thermal Management) 및 관련 소재/부품
: AI 칩의 고도화에 따라 발열 제어가 성능 유지의 핵심 과제로 떠오르면서 고효율 방열 소재의 중요성이 커지고 있습니다.
: 초고발열 환경을 견뎌내기 위한 첨단 패키징용 특수 소재 및 후공정 생태계를 지탱하는 소부장 기술의 현 수준을 확인 가능합니다.

3. AI 메모리 게임체인저: 삼성의 초연결, SK하이닉스의 초열관리

■ 삼성전자: 3D 집적과 CPO로 여는 초연결 시대

삼성전자는 AI 시대의 데이터 전송 한계를 해결하기 위해 이종 접합 패키징과 광인터커넥트 기술을 전시했습니다.

메모리 제조부터 파운드리, 첨단 패키징까지 전 과정을 묶은 “원스톱 솔루션“을 주제로 종합 반도체 회사의 역량을 확인할 수 있었습니다.

① 이종 접합 패키징(Heterogeneous Integration)

   : Si-Bridge와 ISC로 Top Die, Bottom Die, HBM을 수평·수직으로 집적해 칩 간 연결 거리를 단축, 대역폭 향상과 지연시간 감소를 구현합니다.

①-1. 2.3D Cube-E는 실리콘 임베디드 구조를 기반으로 CPU, GPU, HBM Die 등을 수평으로 통합할 수 있게 합니다.

①-2. 3D Cube-T, TSV 기반 수직 적층

   : u-Bump와 Thermo Compression Bonding(TCB)을 적용해 HBM 및 CMOS 이미지센서(CIS) 등 고집적 3D IC 애플리케이션을 지원합니다.

①-3. 3D Cube-H, 범프리스 Hybrid Cu 본딩

   : TSV 기반 로직 다이를 Hybrid Cu 본딩으로 직접 연결해 최고 수준의 집적도와 가장 짧은 수직 신호 경로를 구현합니다.

② CPO(Co-Packaged Optics), 광 인터커넥트

   : Logic·Electronic IC(연산 담당)과 Photonic IC(광회로 칩)를 Si Interposer 위에 통합하고, 광섬유 커넥터(Fiber Array Unit)로 광신호를 직접 연결해 고속·저전력 데이터 전송을 구현합니다.

삼성전자는 이처럼 서로 다른 공정의 칩을 하나의 시스템으로 통합하는 이종 집적 기술을 통해, 차세대 AI 인프라가 요구하는 대역폭과 전력 효율의 해법을 제시하고 있습니다.

■ SK하이닉스: HBM 발열을 잡는 iHBM 솔루션

AI 가속기 시대, HBM은 더 많이 쌓을수록 발열 문제가 커집니다. SK하이닉스는 이 열을 효과적으로 배출하는 구조적 해법을 제시했습니다.

핵심은 코어·베이스 다이 사이에 ICE(Integrated Cooling Element)를 삽입해 열 경로를 최적화하는 것입니다.

iHBM 열관리 솔루션

구조 : Core & Base Die D2D PHY

•목표 : 코어 다이와 베이스 다이 접합부의 발열 집중(Hotspot)을 완화합니다.

•방법 : ICE(Integrated Cooling Element)를 수직 방향 발열 경로에 배치해 열을 상부로 신속히 분산시킵니다.

•효과 : ICE 적용 전 대비 Hotspot 온도 분포가 크게 개선되고, SiP 레벨 열 시뮬레이션 정확도도 향상됩니다.

HBM 로드맵

•2019 HBM2E(세계 최초) → 2021 HBM3(세계 최초) → 2023 HBM3 12Hi / HBM3E

•2025.3 HBM4 → 2026.6 HBM4E → 2027~ iHBM 적용 확대

•SK하이닉스는 ‘Full Stack AI Memory Creator’로서 Co-Architect, Partner, Eco-Contributor 역할을 지향합니다.

HBM4/4E 확장 모형이 보여주는 것

① 4nm Logic Base Die 위에 Interposer, Core Die(1c DRAM)를 정교하게 적층한 구조를 확인할 수 있었습니다.

② HBM4는 x2048 I/O, HBM4E는 최대 16.0Gbps 대역폭으로 AI 스케일 메모리를 지향합니다.

③ GPU와 결합되는 패키지 기판(Package Substrate)까지 이어지는 전체 스택 구조가 실물 모형으로 전시되었습니다.

HBM의 대역폭·전력효율 개선은 AI 인프라 확장의 핵심 변수입니다.

4. 참관 후기

이번 ASPS 2026 현장은 한 마디로 “AI/HPC 반도체의 한계를 깨부수기 위한 기술들의 총격전＂이었습니다.

특히 메모리 양대 산맥인 삼성전자와 SK하이닉스는 실물 모형과 구체적인 로드맵을 선보이며 K-반도체의 압도적인 기술력과 치열한 패권 경쟁을 실감케 했습니다.

결국 AI 반도체의 다음 승부처는 단연 “첨단 패키징＂입니다. 미세화 한계를 넘어 양산 효율을 잡아내는 기업이 미래 AI시장을 주도할 것입니다.

이번 참관을 통해 그 거대한 흐름 속에서 K-반도체가 그려 나갈 미래 지도를 명확히 확인할 수 있었습니다.

양산성 향상을 지원하는 솔루션을 개발하고 있습니다. 단순한 성능 구현을 넘어, 첨가제 분해 부산물을 최소화한 친환경적이고 장수명(Long Bath Life) 도금 솔루션을 통해 차세대 반도체 패키징 시장의 지속 가능한 성장을 이끌어 가겠습니다.